CXMT, 5세대 DRAM 기술 플랫폼 양산 돌입…24Gb LPDDR5X 2종
중국의 선도 DRAM 생산 기업인 창신메모리(CXMT)가 5세대 DRAM 기술 플랫폼을 양산에 넣었다고 밝혔다. 로이터는 2026년 9월 20일 일요일, 베이징발 기사에서 이 소식을 전했다. 창신메모리는 합비에 본사를 둔 회사이며, 올해 상하이 스타마켓에 상장했다. 거래 코드는 688825.SS다. DRAM은 스마트폰과 컴퓨터가 애플리케이션을 실행할 때 쓰는 단기 작업 메모리다. 이번 발표가 가리키는 대상은 특정 칩 한 종이 아니라, 그 칩을 찍어 내는 공정 세대 자체다. 플랫폼이 양산에 들어갔다는 말은, 시연을 넘어 반복 생산이 가능한 단계로 옮겼다는 선언이다.
새 플랫폼 위에서 이미 양산 중인 제품은 24기가비트 LPDDR5X 두 종이다. 스마트폰과 휴대용 기기를 겨냥한 패키지 형식 두 가지로 나오며, 창신메모리 설명에 따르면 각각 이전 동급 제품보다 데이터를 50퍼센트 더 담는다. 회사는 이 플랫폼을 더 강력한 칩을 더 낮은 비용과 더 적은 전력으로 만들기 위해 설계했다고 했다. 모바일 기기의 작업 메모리 용량을 키우면서 전력과 원가를 함께 낮추는 방향은, 세대 전환이 용량 숫자만 올리는 일이 아님을 보여 준다. 이번 두 제품은 휴대 기기를 위한 저전력 DRAM으로, 다이 하나에 24기가비트를 담는 형태다.
공정 수치도 함께 공개됐다. 데이터 저장 영역의 피처 간격은 11.95나노미터로 줄었다. 대략 12억분의 1미터 수준이다. 이 간격을 만드는 데 쿼드러플 패터닝을 썼다. 쿼드러플 패터닝은 같은 층을 여러 차례 노광해 더 촘촘한 회로를 그리는 기법이다. 한 장의 웨이퍼에서 나오는 총 칩 다이 수는 4세대 대비 최소 50퍼센트 많다. 비교 기준은 8기가비트 칩이며, 여기서 말하는 총량은 불량 다이를 빼기 전 숫자다. 실제 수율은 이번 발표에 나오지 않았다. 웨이퍼당 다이 수가 늘면 같은 원판에서 더 많은 칩을 뽑을 여지는 커지지만, 불량을 걸러낸 뒤의 유효 출하량은 별개의 문제다. 4세대와 5세대를 8기가비트 기준으로 나란히 놓은 것은, 제품 용량이 24기가비트로 커진 효과와 공정 미세화에 따른 다이 수 증가를 섞어 읽지 않도록 하는 구분으로도 읽힌다.
창신메모리 부사장이자 마케팅센터장인 뤄샤오둥은 합비에서 열린 2026 세계제조업컨벤션에서 "우리 공정 능력은 이제 업계에서 가장 앞선 양산 노드와 어깨를 나란히 한다"고 말했다. 이 문장은 회사 측 평가다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지 등 기존 DRAM 강자의 양산 노드와 1대1로 대조한 독립 측정치는 기사에 없다. 세 회사는 창신메모리가 겨루는 경쟁사로 거론됐다. 중국 선도 DRAM 업체가 5세대 플랫폼과 24기가비트 LPDDR5X를 양산 단계에 올렸다고 공개한 사실 자체는, 같은 메모리 제품군에서 세대 경쟁을 이어가겠다는 신호로 읽힌다. 본사가 있는 합비에서 세계제조업컨벤션이 열렸고, 그 자리에서 공정 능력 평가가 나온 셈이다.
정책 환경은 이번 양산 발표를 받치는 배경이다. 베이징은 외국 반도체 의존을 줄이려 하고, 미국은 2022년부터 첨단 반도체 제조 장비와 소프트웨어 접근을 제한하는 수출 통제를 유지해 왔다. 창신메모리가 밝힌 경로는 그 제약 안에서 저장 영역 피처를 11.95나노미터까지 줄이고, 쿼드러플 패터닝으로 웨이퍼당 다이 수를 늘리며, 스마트폰과 휴대 기기용 LPDDR5X를 먼저 양산하는 쪽이다. 고객사 이름과 매출, 점유율은 공개되지 않았다. 확인된 사실은 5세대 DRAM 기술 플랫폼이 양산에 들어갔고, 24기가비트 LPDDR5X 두 종이 이미 그 위에서 나오고 있다는 것이다.
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