글로벌파운드리·RAAAM, 차세대 GCRAM 공동 개발과 FDX 테스트 칩 테이프아웃 발표
글로벌파운드리(GlobalFoundries, 나스닥: GFS)와 이스라엘 팹리스 반도체 IP 기업 RAAAM Memory Technologies는 2026년 9월 2일, 차세대 게인셀 램(Gain-Cell RAM, GCRAM)을 공동 개발하고 자격 검증하는 전략적 협력을 발표했다. 같은 날 양사는 GF의 FDX FD-SOI 플랫폼에서 GCRAM 테스트 칩 테이프아웃에 성공했다고 밝혔다. 발표 거점은 미국 뉴욕주 몰타와 이스라엘 페타티크바다. 협력의 실체는 범용 SRAM을 대체할 온칩 메모리를 특정 파운드리 공정에 올려 실리콘 검증 궤도에 올리는 일이다. 양사는 GCRAM을 개발·자격 검증(qualify)하는 관계를 맺었고, 첫 가시적 산출물이 FDX 테스트 비히클의 테이프아웃이다. 개념 단계가 아니라 공정 위에서 제작으로 넘어간 점이 이번 발표의 무게다. 다만 테이프아웃은 설계가 제조 경로에 들어갔다는 뜻이지, 완성 칩의 전기 특성 수치가 공개됐다는 뜻은 아니다. 배경에는 엣지 AI·자동차·사물인터넷(IoT)이 칩 내부에서 다루는 데이터를 늘리며 온칩 메모리 수요를 키운다는 현실이 있다. 메모리는 종종 실리콘 면적의 다수를 차지한다. 밀도가 낮으면 다이가 커지고, SRAM 수준의 전력이 유지되면 칩 전체 소비전력이 커진다. 더 높은 밀도와 더 낮은 전력이 한꺼번에 요구되는 구간이다. 글로벌파운드리는 자동차·항공우주·방산·데이터센터·스마트 모바일·IoT 등 필수 반도체를 제조하는 파운드리다. RAAAM은 표준 CMOS와 호환되는 드롭인 SRAM 대체 IP로 특허 GCRAM을 보유한 팹리스다. 한쪽은 공정과 제조, 다른 쪽은 비트셀 IP를 가져오는 역할 분담이다. NXP Semiconductors의 프론트엔드 혁신 부사장 빅터 왕(Victor Wang)은 해당 기술의 이점을 평가 중이라고 소개돼, 잠재 수요 기업이 이미 관전석에 앉아 있는 구도다. 기술적으로 양사는 FDX 위에서 푸시드(pushed) 디자인 룰을 적용한 GCRAM 비트셀을 공동 설계했다...