CXMT, 5세대 DRAM 기술 플랫폼 양산 돌입…24Gb LPDDR5X 2종
중국의 선도 DRAM 생산 기업인 창신메모리(CXMT)가 5세대 DRAM 기술 플랫폼을 양산에 넣었다고 밝혔다. 로이터는 2026년 9월 20일 일요일, 베이징발 기사에서 이 소식을 전했다. 창신메모리는 합비에 본사를 둔 회사이며, 올해 상하이 스타마켓에 상장했다. 거래 코드는 688825.SS다. DRAM은 스마트폰과 컴퓨터가 애플리케이션을 실행할 때 쓰는 단기 작업 메모리다. 이번 발표가 가리키는 대상은 특정 칩 한 종이 아니라, 그 칩을 찍어 내는 공정 세대 자체다. 플랫폼이 양산에 들어갔다는 말은, 시연을 넘어 반복 생산이 가능한 단계로 옮겼다는 선언이다. 새 플랫폼 위에서 이미 양산 중인 제품은 24기가비트 LPDDR5X 두 종이다. 스마트폰과 휴대용 기기를 겨냥한 패키지 형식 두 가지로 나오며, 창신메모리 설명에 따르면 각각 이전 동급 제품보다 데이터를 50퍼센트 더 담는다. 회사는 이 플랫폼을 더 강력한 칩을 더 낮은 비용과 더 적은 전력으로 만들기 위해 설계했다고 했다. 모바일 기기의 작업 메모리 용량을 키우면서 전력과 원가를 함께 낮추는 방향은, 세대 전환이 용량 숫자만 올리는 일이 아님을 보여 준다. 이번 두 제품은 휴대 기기를 위한 저전력 DRAM으로, 다이 하나에 24기가비트를 담는 형태다. 공정 수치도 함께 공개됐다. 데이터 저장 영역의 피처 간격은 11.95나노미터로 줄었다. 대략 12억분의 1미터 수준이다. 이 간격을 만드는 데 쿼드러플 패터닝을 썼다. 쿼드러플 패터닝은 같은 층을 여러 차례 노광해 더 촘촘한 회로를 그리는 기법이다. 한 장의 웨이퍼에서 나오는 총 칩 다이 수는 4세대 대비 최소 50퍼센트 많다. 비교 기준은 8기가비트 칩이며, 여기서 말하는 총량은 불량 다이를 빼기 전 숫자다. 실제 수율은 이번 발표에 나오지 않았다. 웨이퍼당 다이 수가 늘면 같은 원판에서 더 많은 칩을 뽑을 여지는 커지지만, 불량을 걸러낸 뒤의 유효 출하량은 별개의 문제다. 4세대와 5세대를 8기가비트 기준으로 나란히 놓은 것은, 제품 용량이...
